1.特性特征：

可控硅：工作電壓低，電流量低，速度更快，封裝小。

固態(tài)繼電器：工作電壓高，電流量高，速度比較慢，封裝大。

2.工作原理：

可控硅是P1N1P2N2四層三端構(gòu)造元器件，一共有三個PN結(jié)，剖析機(jī)理時，能夠把它當(dāng)作由一個PNP管和一個NPN管所構(gòu)成。

當(dāng)陽極氧化A再加上正方向工作電壓時，BG1和BG2管均處在變大情況。這時，假如從操縱極G鍵入一個正方向開啟數(shù)據(jù)信號，BG2便有基流ib2穿過，經(jīng)BG2變大，其發(fā)射極電流量ic2=β2ib2。由于BG2的集電結(jié)立即與BG1的基極相接，因此ib1=ic2。這時，電流量ic2寄內(nèi)BG1變大，因此BG1的發(fā)射極電流量ic1=β1ib1=β1β2ib2。這一電流量又流返回BG2的基極，表成反饋調(diào)節(jié)，使ib2持續(xù)擴(kuò)大，這般正方向意見反饋循環(huán)系統(tǒng)的結(jié)果，2個管道的電流量猛增，可控硅使飽和狀態(tài)通斷。

因為BG1和BG2所造成的正反饋性，因此一旦可控硅通斷后，即便操縱極G的電流量消失了，可控硅依然可以保持通斷情況，因為開啟數(shù)據(jù)信號只起開啟功效，沒有關(guān)閉作用，因此這類可控硅是不能關(guān)閉的。

因為可控硅僅有導(dǎo)通與關(guān)閉二種運(yùn)行狀態(tài)，因此它具備電源開關(guān)特點(diǎn)，這類特點(diǎn)必須一定的標(biāo)準(zhǔn)能夠轉(zhuǎn)換。

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從關(guān)閉到通斷

1.陽極氧化電位差高過是負(fù)極電位差

2.操縱極有充足的順向電流和電流量

二者缺一不可

保持通斷

1.陽極氧化電位差高過負(fù)極電位差

2.陽極氧化電流量超過保持電流量

二者缺一不可

從通斷到關(guān)

1.陽極氧化電勢小于負(fù)極電位差

2.陽極氧化電流量低于保持電流量

任一標(biāo)準(zhǔn)就可以

3.基本上伏安特性

（1）反方向特點(diǎn)

當(dāng)操縱極引路，陽極氧化再加上逆向工作電壓時，J2結(jié)正偏，但J1.J2結(jié)反偏。這時只有穿過不大的反方向飽和電流，當(dāng)工作電壓進(jìn)一步提高到J1結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，接差J3結(jié)也穿透，電流量快速提升，特點(diǎn)發(fā)生了彎折，彎曲處的工作電壓URO叫“反方向轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓”。這時，可控硅會產(chǎn)生永久反方向穿透。

（2）正方向特點(diǎn)

當(dāng)操縱極引路，陽極氧化上再加上正方向工作電壓時，J1.J3結(jié)正偏，但J2結(jié)反偏，這與一般PN結(jié)的方向特點(diǎn)類似，也只有穿過不大電流量，這叫正方向阻隔情況，當(dāng)工作電壓提升，特點(diǎn)發(fā)生了彎折，彎曲處的是UBO叫，正方向轉(zhuǎn)折點(diǎn)工作電壓

陽極氧化加順向工作電壓

因為工作電壓上升到J2結(jié)的雪崩擊穿工作電壓后，J2結(jié)產(chǎn)生山崩增長效用，在結(jié)區(qū)發(fā)生很多的電子器件和空穴，電子器件時入N1區(qū)，空穴時入P2區(qū)。進(jìn)到N1區(qū)的電子器件與由P1區(qū)根據(jù)J1結(jié)引入N1區(qū)的空穴復(fù)合型，一樣，進(jìn)到P2區(qū)的電荷與由N2區(qū)根據(jù)J3結(jié)引入P2區(qū)的電子器件復(fù)合型，雪崩擊穿，進(jìn)到N1區(qū)的電子器件與進(jìn)到P2區(qū)的空穴分別不可以所有 復(fù)合型掉，那樣，在N1區(qū)也有電子器件累積，在P2區(qū)就會有空穴累積，結(jié)果使P2區(qū)的電位差上升，N1區(qū)的電勢降低，J2結(jié)變?yōu)檎?，只需電流量稍提升，工作電壓便快速降低，發(fā)生說白了負(fù)阻特點(diǎn)。

這時候J1.J2.J3三個結(jié)均處在正偏，可控硅便進(jìn)到正方向?qū)щ娦郧闆r---通態(tài)，這時，它的性能與一般的PN結(jié)正方向特點(diǎn)類似

4.開啟通斷

在操縱極G上添加正方向工作電壓時易J3正偏，P2區(qū)的空穴時入N2區(qū)，N2區(qū)的電子器件進(jìn)到P2區(qū)，產(chǎn)生開啟電流量IGT。在可控硅的內(nèi)部正反饋性的根基上，再加上IGT的功效，使可控硅提流板通，造成 伏安特性O(shè)A段偏移，IGT越大，特點(diǎn)偏移越快。